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弗勞恩霍夫突破OLED背板技術,亮度超萬尼特助力ARVR顯示升級

來源:映維網

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所屬頻道:新聞中心

關鍵詞:AR/VR 高壓CMOS背板

    弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所的科學家們現(xiàn)在已經開發(fā)出一種創(chuàng)新的高壓CMOS背板,并可以實現(xiàn)異常明亮的微顯示器。



    諸如AR眼鏡和VR頭顯等都能受益于Micro OLED顯示器的圖像質量和高亮度。


    保持長壽命的同時提高亮度的常用方法是使用多個堆疊的OLED。但堆疊OLED層會增加整個結構的電壓降和電壓擺幅,并對背板技術提出了高要求。


    通過創(chuàng)新設計,弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所的科學家們現(xiàn)在已經開發(fā)出一種創(chuàng)新的高壓CMOS背板,并可以實現(xiàn)異常明亮的微顯示器。


    團隊指出:“我們開發(fā)出一種創(chuàng)新的設計,允許超過10伏的電壓擺幅。根據堆疊單元的數(shù)量,可以在保持恒定電流密度的同時實現(xiàn)高電流效率的最大發(fā)射倍數(shù)。這種方法可以實現(xiàn)超過10,000 cd/m2的全彩色最大亮度,同時保持壽命和可靠性?!?/span>


    與LED相比,OLED 技術在多個方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢:


    成熟度:OLED技術已達到較高的成熟水平,市場已有眾多成熟產品。


    電流密度:OLED在典型工作狀態(tài)下的電流密度低于100 mA/cm2,具有更高的效率和更長的使用壽命。相比之下,MicroLED需要超過1A/cm2的電流密度,導致效率大幅下降。


    亮度:通過多層堆疊OLED 技術,亮度可提升至超過10,000 cd/m2,進一步拓展了其在明亮環(huán)境中的應用可能性。


    綜上所述,OLED技術在成熟度、效率和色彩表現(xiàn)力方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,而MicroLED依然需在技術方面取得突破。


    如今,通過在高壓CMOS背板應用多層堆疊的OLED技術,亮度可以提升至約10,000 cd/m2,從而為超高亮度OLED微型顯示器的市場推廣帶來全新的機遇。

    (審核編輯: 光光)

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