目前，我國傳感器行業(yè)規(guī)模較小，應用范圍較窄。為此，我們必須轉變觀念，將傳感器的研發(fā)由單一物性型傳感器的研發(fā)，轉化為高度集成的新型傳感器研發(fā)。新型傳感器的開發(fā)和應用已成為現(xiàn)代系統(tǒng)的核心和關鍵，它將成為21世紀信息產業(yè)新的經濟增長點。

我國早在20世紀60年代就開始涉足傳感器制造業(yè)。我國在1972年組建成立中國第一批壓阻傳感器研制生產單位；1974年，研制成功中國第一個實用壓阻式壓力傳感器；1978年，誕生中國第一個固態(tài)壓阻加速度傳感器；1982年，國內最早開始硅微機械系統(tǒng)（MEMS）加工技術和SOI（絕緣體上硅）技術的研究。

進入20世紀90年代后，硅微機械加工技術的絕對壓力傳感器、微壓傳感器、呼吸機壓傳感器、多晶硅壓力傳感器、低成本TO－8封裝壓力傳感器等相繼問世并實現(xiàn)生產。改革開放30年來，我國傳感器技術及其產業(yè)取得了長足進步，主要表現(xiàn)在：建立了傳感技術國家重點實驗室、微米／納米國家重點實驗室、國家傳感技術工程中心等研究開發(fā)基地；MEMS、MOEMS（微光機電系統(tǒng)）等研究項目列入了國家高新技術發(fā)展重點；在“九五”國家重點科技攻關項目中，傳感器技術研究取得了51個品種86個規(guī)格新產品的成績，初步建立了敏感元件與傳感器產業(yè)；2007年傳感器業(yè)總產量達到20．93億只，品種規(guī)格已有近6000種，并已在國民經濟各部門和國防建設中得到一定應用。

幾十年來，微電子技術促進了傳感器技術的發(fā)展。未來10年～20年，傳統(tǒng)硅技術將進入成熟期（預計在2014年～2017年）。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術市場將一直延續(xù)到2047年（即晶體管發(fā)明100周年）才趨于飽和（即達到芯片特征尺寸的極限）并衰退。而當前微電子技術仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎定律走下去，在逼近傳統(tǒng)硅技術極限中，不斷擴展硅的跨學科橫向應用（如MEMS等）和更先進應用（量子、分子器件）。而上述微電子技術的兩大發(fā)展方向正是當前乃至未來20年傳感器技術的主要發(fā)展方向。